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電子多光束掩模寫入器實(shí)現(xiàn)微芯片進(jìn)一步小型化

電子多光束掩模寫入器實(shí)現(xiàn)微芯片進(jìn)一步小型化

發(fā)布時(shí)間：2021-08-09

智能手機(jī)和很多其他電子設(shè)備的不斷發(fā)展可以概括為" 更小、更快、更強(qiáng)大 "。這些設(shè)備的核心是微芯片，作為這一發(fā)展的一部分，微芯片也需要變得更小、更好。過去在這個(gè)領(lǐng)域已經(jīng)取得了良好的進(jìn)展，但許多制造技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了極限。由位于維也納的 IMS 納米制造有限公司開發(fā)的一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù) ：電子多光束掩模寫入器（electron multi-beammask writer），成為改變了現(xiàn)有極限的解決方案。該設(shè)備的關(guān)鍵元件來自弗勞恩...

普發(fā)真空推出可靠低振動(dòng)的HiPace 80 Neo渦輪分子泵

普發(fā)真空推出可靠低振動(dòng)的HiPace 80 Neo渦輪分子泵

發(fā)布時(shí)間：2021-08-09

近日，普發(fā)真空推出了壽命更長(zhǎng)、振動(dòng)更小、噪聲更低的新型 HiPace80 Neo 渦輪分子泵，同時(shí)問世的還有普發(fā)真空專為渦輪泵轉(zhuǎn)子開發(fā)的Laser Balancing ? 激光平衡技術(shù)。采用這項(xiàng)專利技術(shù)的相關(guān)真空泵特別適用于包括質(zhì)譜分析、電子顯微術(shù)、檢漏儀和殘余氣體分析系統(tǒng)等對(duì)振動(dòng)敏感的應(yīng)用。在控溫方面，HiPace 渦輪分子泵配備集成傳感器，集成的轉(zhuǎn)子溫度測(cè)量功能可確保 HiPace 80 Neo 始終發(fā)揮最佳性能，保障其最高運(yùn)行安全性。...

思特威推出Stack+RS結(jié)構(gòu) 全彩圖像傳感器SC850SL

思特威推出Stack+RS結(jié)構(gòu) 全彩圖像傳感器SC850SL

發(fā)布時(shí)間：2021-08-09

先進(jìn)CMOS圖像傳感器供應(yīng)商思特威科技（SmartSens Technology），推出其首顆 Stack 的 RollingShutter 架構(gòu) 800 萬像素圖像傳感器產(chǎn)品 SC850SL，作為思特威首顆 Star Light (SL) 超星光級(jí)系列產(chǎn)品，力求以 4K 超星光級(jí)夜視全彩影像賦能高端智視應(yīng)用市場(chǎng)。大數(shù)據(jù)時(shí)代下催生的視頻結(jié)構(gòu)化技術(shù)持續(xù)走熱，該技術(shù)旨在通過提高對(duì)目標(biāo)物細(xì)節(jié)特征的識(shí)別提取能力從而更高效地為后端運(yùn)算獲取圖像關(guān)鍵信息。因此對(duì) CIS 的...

液態(tài)金屬纖維氈：適用于穿戴式電子設(shè)備的創(chuàng)新導(dǎo)電材料

液態(tài)金屬纖維氈：適用于穿戴式電子設(shè)備的創(chuàng)新導(dǎo)電材料

發(fā)布時(shí)間：2021-08-09

香港理工大學(xué)研發(fā)出一種適用于穿戴式電子設(shè)備的高透氣及超彈性導(dǎo)電材料。此種創(chuàng)新導(dǎo)電材料是以涂抹或者印刷方法將液態(tài)金屬物料加于彈性纖維網(wǎng)上，這種彈性纖維網(wǎng)是以靜電紡絲程序制成，透氣度高、彈性強(qiáng)、能導(dǎo)電且導(dǎo)電穩(wěn)定性高，可以廣泛應(yīng)用于健康監(jiān)測(cè)設(shè)備、軟體機(jī)械人和貼在皮膚上的電子裝置。本研究項(xiàng)目的結(jié)果（Permeable superelastic liquid-metal fibre mat enables biocompatible and monolithic stretchable elec...

用于鋰電池負(fù)極的新型硅碳復(fù)合材料Siridion? Black

用于鋰電池負(fù)極的新型硅碳復(fù)合材料Siridion? Black

發(fā)布時(shí)間：2021-08-09

全球領(lǐng)先的特種化學(xué)品公司贏創(chuàng)推出全新鋰電池硅碳復(fù)合型負(fù)極材料Siridion? Black，可有效提高電池的能量密度，提升快充容量和能效，從而使鋰電池性能更強(qiáng)大。全新高性能材料Siridion? Black進(jìn)一步完善了贏創(chuàng)電池材料產(chǎn)品組合。目前，贏創(chuàng)電池材料解決方案包括正極活性材料和用于隔膜涂料的氣相金屬氧化物?！笆悄壳俺Ｓ玫匿囯姵刎?fù)極材料。然而，隨著人們對(duì)電池容量、充電時(shí)間提出更高的要求，開發(fā)新型負(fù)極材料勢(shì)在必行。...

長(zhǎng)電科技發(fā)布用于異構(gòu)集成的XDFOI多維先進(jìn)封裝技術(shù)

長(zhǎng)電科技發(fā)布用于異構(gòu)集成的XDFOI多維先進(jìn)封裝技術(shù)

發(fā)布時(shí)間：2021-08-09

全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長(zhǎng)電科技宣布推出 XDFOI ?全系列極高密度扇出型封裝解決方案，旨在為全球客戶高度關(guān)注的芯片異構(gòu)集成提供高性價(jià)比、高集成度、高密度互聯(lián)和高可靠性的解決方案，引領(lǐng)先進(jìn)芯片成品制造技術(shù)創(chuàng)新邁向新高度。XDFOI ?全系列極高密度扇出型封裝解決方案是新型無硅通孔晶圓級(jí)極高密度封裝技術(shù)，相較于 2.5D 硅通孔封裝技術(shù)，該解決方案具備更高性能、更高可靠性以及更低成本等特性。該...

中微公司發(fā)布用于MiniLED量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備

中微公司發(fā)布用于MiniLED量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備

發(fā)布時(shí)間：2021-08-09

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司推出專為高性能MiniLED量產(chǎn)而設(shè)計(jì)的Prismo UniMaxTM MOCVD設(shè)備，該設(shè)備在幫助 LED 芯片制造商提高產(chǎn)能的同時(shí)能夠有效地降低生產(chǎn)成本。中微公司 Prismo 系列 MOCVD 設(shè)備已進(jìn)入全球大多數(shù)領(lǐng)先的氮化鎵基藍(lán)綠光 LED 制造商，此次推出的Prismo UniMax 是中微公司 Prismo 系列 MOCVD 設(shè)備的最新產(chǎn)品，該設(shè)備在同一系統(tǒng)中可配備多達(dá) 4 個(gè)反應(yīng)腔。Prismo Un...

思銳智能專注ALD創(chuàng)新，突破產(chǎn)能效率邊界和性能新高度

思銳智能專注ALD創(chuàng)新，突破產(chǎn)能效率邊界和性能新高度

發(fā)布時(shí)間：2021-08-09

沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的 4 大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設(shè)中，約 80% 的投資用于購買設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約 25% 的比重。業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積 (ALD)、物理式真空鍍膜 (PVD) 和化學(xué)式真空鍍膜 (CVD) 等。其中 ALD 屬于 CVD 的一種，是當(dāng)下最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。調(diào)研機(jī)構(gòu) GIR 相關(guān)報(bào)告表明，全球 ALD 設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模在 2021-202...

上海精測(cè)半導(dǎo)體 12寸獨(dú)立式OCD機(jī)臺(tái)與全自動(dòng)Review SEM設(shè)備出機(jī)

上海精測(cè)半導(dǎo)體 12寸獨(dú)立式OCD機(jī)臺(tái)與全自動(dòng)Review SEM設(shè)備出機(jī)

發(fā)布時(shí)間：2021-08-09

2021年7月13日，在上海精測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司成立三周年之際，經(jīng)過全體精測(cè)人的努力拼搏，迎來了屬于自己的榮耀時(shí)刻：國內(nèi)首臺(tái)12寸獨(dú)立式光學(xué)線寬測(cè)量設(shè)備（OCD）與國內(nèi)唯一12寸全自動(dòng) 電子束晶圓缺陷復(fù)查設(shè)備（Review SEM）順利出機(jī)。國內(nèi)首臺(tái)12寸獨(dú)立式光學(xué)線寬測(cè)量機(jī)臺(tái)12 寸獨(dú)立式光學(xué)線寬測(cè)量機(jī)臺(tái) (OCD) 是該類型的國內(nèi)首臺(tái)機(jī)臺(tái)，主要用于 45nm 以下、特別是 28nm 平面CMOS 工藝的量測(cè)，并可以延伸支持上述...

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